IXTH48N65X2 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 6+ | 12.13 EUR |
| 8+ | 9.24 EUR |
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Technische Details IXTH48N65X2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 48, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 660, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 660, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTH48N65X2 nach Preis ab 8.36 EUR bis 17.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IXTH48N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 400ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH48N65X2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS |
auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH48N65X2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 660W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V |
auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH48N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH48N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH48N65X2 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 48 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 660 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 660 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
Produkt ist nicht verfügbar |