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Technische Details IXTH02N250 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXTH02N250 nach Preis ab 19.62 EUR bis 28.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXTH02N250 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH02N250 | Hersteller : IXYS |
MOSFET High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A |
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IXTH02N250 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH02N250 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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IXTH02N250 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH02N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us Reverse recovery time: 1.5µs Drain-source voltage: 2.5kV Drain current: 0.2A On-state resistance: 450Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH02N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us Reverse recovery time: 1.5µs Drain-source voltage: 2.5kV Drain current: 0.2A On-state resistance: 450Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO247-3 |
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