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IXTA3N50P

IXTA3N50P IXYS

IXTA3N50P-DTE.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.3nC
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Technische Details IXTA3N50P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 3A, Power dissipation: 70W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 9.3nC, Reverse recovery time: 400ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA3N50P IXTA3N50P Hersteller : IXYS IXTA3N50P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.3nC
Reverse recovery time: 400ns
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IXTA3N50P Hersteller : IXYS DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P)-1148472.pdf MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
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Produktcode: 131345
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IXTA3N50P IXTA3N50P Hersteller : IXYS DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
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