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IXGH60N60C3D1

IXGH60N60C3D1 IXYS

IXGH60N60C3D1.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
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Anzahl Preis
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6+12.03 EUR
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Technische Details IXGH60N60C3D1 IXYS

Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns, Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 380 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Hersteller : IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Hersteller : IXYS media-3321016.pdf IGBTs 60 Amps 600V
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10+18.37 EUR
120+15.89 EUR
270+15.38 EUR
510+14.40 EUR
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2520+13.13 EUR
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 136 Stücke:
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IXGH60N60C3D1
Produktcode: 148221
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_60n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Hersteller : Littelfuse namelittelfuse-discrete-igbts-pt-ixg-60n60c3d1-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Hersteller : IXYS Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns
Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 380 W
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