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IXGH10N170A

IXGH10N170A IXYS


IXG_10N170A.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:

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Technische Details IXGH10N170A IXYS

Description: IGBT NPT 1700V 10A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/190ns, Switching Energy: 380µJ (off), Test Condition: 850V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 29 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 140 W.

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IXGH10N170A IXGH10N170A Hersteller : IXYS IXG_10N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
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IXGH10N170A IXGH10N170A Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_10n170a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT NPT 1700V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/190ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 140 W
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IXGH10N170A IXGH10N170A Hersteller : IXYS media-3320683.pdf IGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds
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IXGH10N170A IXGH10N170A Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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