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Technische Details IXFX120N65X2 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXFX120N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXFX120N65X2 nach Preis ab 27.01 EUR bis 39.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXFX120N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFX120N65X2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2 |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX120N65X2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX120N65X2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFX120N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFX120N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFX120N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFX120N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 220ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX120N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 220ns |
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