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IXFT120N30X3HV IXYS
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![300VProductBrief.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 21.29 EUR |
5+ | 15.76 EUR |
300+ | 15.06 EUR |
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Technische Details IXFT120N30X3HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXFT120N30X3HV nach Preis ab 15.76 EUR bis 29.18 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268 Case: TO268 Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 735W Polarisation: unipolar Gate charge: 170nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 145ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : Littelfuse |
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