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IXFR30N60P

IXFR30N60P IXYS

IXFR30N60P.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details IXFR30N60P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 15A, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 0.25Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 166W, Gate charge: 85nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IXFR30N60P IXFR30N60P Hersteller : IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
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