IXFP26N65X2 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 7+ | 11 EUR |
| 10+ | 7.21 EUR |
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Technische Details IXFP26N65X2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFP26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXFP26N65X2 nach Preis ab 7.21 EUR bis 15.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXFP26N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP26N65X2 | Hersteller : IXYS |
MOSFET MOSFET DISCRETE |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFP26N65X2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFP26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFP26N65X2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: IXFP26N65X2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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