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IXFP12N65X2

IXFP12N65X2 IXYS

IXF_12N65X2.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+4.15 EUR
20+ 3.72 EUR
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Technische Details IXFP12N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class HiperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 Hersteller : IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
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Anzahl Preis ohne MwSt
18+4.15 EUR
20+ 3.72 EUR
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26+ 2.77 EUR
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IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_12n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.59 EUR
50+ 3.64 EUR
100+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 Hersteller : IXYS media-3322978.pdf MOSFETs 650V/12A TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.51 EUR
10+ 5.47 EUR
50+ 5.16 EUR
100+ 4.42 EUR
250+ 4.17 EUR
500+ 3.92 EUR
1000+ 3.41 EUR
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_12n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXFP12N65X2
Produktcode: 173233 		Hersteller : IXYS ixfp12n65x2m_ixfp12n65x2_ixfa12n65x2_ixfh12n65x2.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 12 A
Rds(on), Ohm: 310 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1134/18,5
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