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IXFN64N50P

IXFN64N50P IXYS


media-3322863.pdf Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 500V 64A
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Technische Details IXFN64N50P IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
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IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=C3F76E7E-02FB-4FB9-BB27-8D8D85DFFDE8&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N50P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
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IXFN64N50P
Produktcode: 122714
media?resourcetype=datasheets&itemid=C3F76E7E-02FB-4FB9-BB27-8D8D85DFFDE8&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N50P-Datasheet.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
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IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
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IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : IXYS IXFN64N50P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : IXYS IXFN64N50P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
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Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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