![IXFN210N20P IXFN210N20P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/408/IXYN82N120C3H1.jpg)
IXFN210N20P Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n20p_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 76.1 EUR |
10+ | 67.81 EUR |
100+ | 59.52 EUR |
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Technische Details IXFN210N20P Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 188A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.07kW, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXFN210N20P nach Preis ab 59.19 EUR bis 76.67 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXFN210N20P | Hersteller : IXYS |
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IXFN210N20P | Hersteller : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 188A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.07kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.07kW Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN210N20P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN210N20P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN210N20P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN210N20P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 188A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 1.07kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10.5mΩ Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXFN210N20P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 188A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 1.07kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10.5mΩ Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
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