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IXFN180N15P IXYS
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Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Power dissipation: 680W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 240nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 380A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 11mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IXFN180N15P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.011 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN180N15P nach Preis ab 27.07 EUR bis 55.59 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IXFN180N15P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A Power dissipation: 680W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 240nC Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 380A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 11mΩ |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN180N15P | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 1958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN180N15P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 680W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN180N15P | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN180N15P | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN180N15P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 680W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN180N15P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN180N15P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN180N15P | Hersteller : Littelfuse |
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