IXFN132N50P3 Ixys Corporation
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Technische Details IXFN132N50P3 Ixys Corporation
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5kW, Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN132N50P3 nach Preis ab 53.2 EUR bis 68.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IXFN132N50P3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 1500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5kW Produktpalette: Polar3 HiPerFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 112A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 1.5kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 39mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 112A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 1.5kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 39mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
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