IXFK64N60P3 Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 25+ | 18.28 EUR |
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Technische Details IXFK64N60P3 Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.13kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFK64N60P3 nach Preis ab 17.85 EUR bis 25.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IXFK64N60P3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.13kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar3 HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK64N60P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFK64N60P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |