Produkte > LITTELFUSE > IXFK170N10P
IXFK170N10P

IXFK170N10P Littelfuse


media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+14.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFK170N10P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IXFK170N10P nach Preis ab 11.74 EUR bis 21.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXFK170N10P IXFK170N10P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+14.28 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IXFK170N10P IXFK170N10P Hersteller : IXYS IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.85 EUR
6+ 12.41 EUR
7+ 11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFK170N10P IXFK170N10P Hersteller : IXYS IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.85 EUR
6+ 12.41 EUR
7+ 11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFK170N10P IXFK170N10P Hersteller : IXYS media-3319718.pdf MOSFET PolarHT HiperFET 100v, 170A
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+21.67 EUR
25+ 18.2 EUR
50+ 17.55 EUR
100+ 16.77 EUR
IXFK170N10P IXFK170N10P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXFK170N10P IXFK170N10P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
IXFK170N10P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
IXFK170N10P IXFK170N10P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar