IXFH80N65X2-4 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 4+ | 18.09 EUR |
| 5+ | 14.5 EUR |
| 6+ | 13.7 EUR |
| 510+ | 13.3 EUR |
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Technische Details IXFH80N65X2-4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXFH80N65X2-4 nach Preis ab 13.7 EUR bis 25.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXFH80N65X2-4 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH80N65X2-4 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 650V/80A TO-247-4L |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH80N65X2-4 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 48840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH80N65X2-4 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HiPerFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFH80N65X2-4 | Hersteller : Littelfuse |
X2-Class HiPerFET Power MOSFET |
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