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Technische Details IXFH26N65X2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXFH26N65X2 nach Preis ab 11.7 EUR bis 18.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFH26N65X2 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFH26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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| IXFH26N65X2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: IXFH26N65X2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247 (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V |
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IXFH26N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IXFH26N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
IXFH26N65X2 |
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IXFH26N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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