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IXFH15N100Q3 IXYS
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 1.05Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Gate charge: 64nC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IXFH15N100Q3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 690W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Q3-Class HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFH15N100Q3 nach Preis ab 14.82 EUR bis 31.8 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXFH15N100Q3 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A On-state resistance: 1.05Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Gate charge: 64nC Technology: HiPerFET™; Q3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH15N100Q3 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFH15N100Q3 | Hersteller : IXYS |
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IXFH15N100Q3 | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH15N100Q3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 690W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Q3-Class HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH15N100Q3 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFH15N100Q3 | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH15N100Q3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 690W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V |
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