ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
auf Bestellung 8172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 2.02 EUR |
| 11+ | 1.66 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 2000+ | 0.84 EUR |
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Technische Details ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ISZ0702NLSATMA1 nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ISZ0702NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
auf Bestellung 6517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISZ0702NLSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISZ0702NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISZ0702NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V |
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