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Technische Details ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ISP26DP06NMSATMA1 nach Preis ab 0.53 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ISP26DP06NMSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 |
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ISP26DP06NMSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: -60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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ISP26DP06NMSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: -60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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ISP26DP06NMSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 |
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