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ISP25DP06LMXTSA1

ISP25DP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Infineon_ISP25DP06LM_DS_v02_00_EN-1578751.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Y
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Technische Details ISP25DP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396 Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396 Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isp25dp06lm-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A T/R
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