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ISP25DP06LMSATMA1

ISP25DP06LMSATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISP25DP06LMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae95c11911cdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
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Technische Details ISP25DP06LMSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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ISP25DP06LMSATMA1 ISP25DP06LMSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISP25DP06LMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae95c11911cdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
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ISP25DP06LMSATMA1 ISP25DP06LMSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISP25DP06LMS-DataSheet-v02_01-EN-1622509.pdf MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
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500+ 0.77 EUR
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6000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
ISP25DP06LMSATMA1 ISP25DP06LMSATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0009362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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ISP25DP06LMSATMA1 ISP25DP06LMSATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0009362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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