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ISL9V3040S3ST

ISL9V3040S3ST ON Semiconductor


isl9v3040p3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details ISL9V3040S3ST ON Semiconductor

Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.25V, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 21A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : ON Semiconductor isl9v3040p3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : onsemi ISL9V3040P3-D.PDF Description: IGBT 430V 21A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : onsemi / Fairchild ISL9V3040P3_D-2314348.pdf Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 17a 400V Logic Level
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : onsemi ISL9V3040P3-D.PDF Description: IGBT 430V 21A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : ONSEMI 1761430.pdf Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : ONSEMI 1761430.pdf Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.25V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 21A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST
Produktcode: 84352
ISL9V3040P3-D.PDF Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : ON Semiconductor isl9v3040d-f085jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : ON Semiconductor isl9v3040p3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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ISL9V3040S3ST Hersteller : ONSEMI ISL9V3040P3-D.PDF Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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ISL9V3040S3ST Hersteller : ONSEMI ISL9V3040P3-D.PDF Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Application: ignition systems
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