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Technische Details ISC110N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC110N12NM6ATMA1 nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ISC110N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 60 V |
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ISC110N12NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISC110N12NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| ISC110N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCH >=100V |
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ISC110N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 60 V |
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