ISC037N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5000+ | 3.42 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISC037N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 163A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC037N12NM6ATMA1 nach Preis ab 3.57 EUR bis 7.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISC037N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V |
auf Bestellung 14528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC037N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 4907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC037N12NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
ISC037N12NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| ISC037N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 19.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |