ISC019N04NM5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details ISC019N04NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC019N04NM5ATMA1 nach Preis ab 0.59 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005352244 |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC019N04NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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