ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 5.7 EUR |
| 10+ | 5.13 EUR |
| 25+ | 4.85 EUR |
| 100+ | 4.2 EUR |
| 250+ | 3.98 EUR |
| 500+ | 3.58 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |
| 2500+ | 2.86 EUR |
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Technische Details ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 0.00155 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC015N06NM5LF2ATMA1 nach Preis ab 2.96 EUR bis 5.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ISC015N06NM5LF2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 9410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC015N06NM5LF2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 0.00155 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 275A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC015N06NM5LF2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 0.00155 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 275A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC015N06NM5LF2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V |
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