ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 355000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5000+ | 0.85 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC011N03L5SATMA1 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 9500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
auf Bestellung 9971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 9500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
 |
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |