IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI
Hersteller: ISSISRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
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Technische Details IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI
Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 54-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 2M x 16.
Weitere Produktangebote IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| IS66WVC2M16ECLL-7010BLI | Hersteller : ISSI |
32Mb Async/Page/Burst Cellular RAM 1.5 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS66WVC2M16ECLL-7010BLI | Hersteller : ISSI |
WVC2M16ECLL7010BLI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 2M x 16 |
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