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Technische Details IS64WV51216BLL-10MLA3 ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Access time: 10ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Kind of package: in-tray; tube, Operating voltage: 2.4...3.6V, Anzahl je Verpackung: 210 Stücke.
Weitere Produktangebote IS64WV51216BLL-10MLA3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| IS64WV51216BLL-10MLA3 | Hersteller : ISSI |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns Automotive 48-Pin Mini-BGA |
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| IS64WV51216BLL-10MLA3 | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V Anzahl je Verpackung: 210 Stücke |
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IS64WV51216BLL-10MLA3 | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA |
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| IS64WV51216BLL-10MLA3 | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V |
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