IS61WV25616EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 6.32 EUR |
10+ | 5.74 EUR |
25+ | 5.61 EUR |
40+ | 5.58 EUR |
80+ | 5 EUR |
230+ | 4.99 EUR |
480+ | 4.8 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IS61WV25616EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchron, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IS61WV25616EDBLL-10BLI nach Preis ab 4.72 EUR bis 6.56 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Hersteller : ISSI | SRAM 4Mb 2.4-3.6v 10ns 256K x 16 Async SRAM |
auf Bestellung 2306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Hersteller : ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Hersteller : ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Hersteller : ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V Anzahl je Verpackung: 480 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V |
Produkt ist nicht verfügbar |