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Technische Details IS61NLP25636A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Access time: 200ns, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, Anzahl je Verpackung: 72 Stücke.
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IS61NLP25636A-200TQLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
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IS61NLP25636A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP |
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IS61NLP25636A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TQFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 200ns Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Operating voltage: 3.3V Anzahl je Verpackung: 72 Stücke |
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IS61NLP25636A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TQFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 200ns Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Operating voltage: 3.3V |
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