IS61LF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61LF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Access time: 7.5ns, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, Anzahl je Verpackung: 72 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IS61LF51218A-7.5TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Anzahl je Verpackung: 72 Stücke |
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IS61LF51218A-7.5TQLI | Hersteller : ISSI | SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS |
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IS61LF51218A-7.5TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V |
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