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Technische Details IS43TR85120BL-125KBLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR3L, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 4Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 800MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 78Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IS43TR85120BL-125KBLI nach Preis ab 12.65 EUR bis 19.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IS43TR85120BL-125KBLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA |
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IS43TR85120BL-125KBLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V Technology: SDRAM - DDR3L Clock Frequency: 800 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 78-TWBGA (9x10.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 512M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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IS43TR85120BL-125KBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s a. 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS43TR85120BL-125KBLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IS43TR85120BL-125KBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA |
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IS43TR85120BL-125KBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS43TR85120BL-125KBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 512Mx8bit; 1066MHz; 13.75ns; TWBGA78 Mounting: SMD Operating temperature: -40...95°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 4Gb DRAM Case: TWBGA78 Supply voltage: 1.35V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 512Mx8bit Access time: 13.75ns Clock frequency: 1066MHz Anzahl je Verpackung: 242 Stücke |
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| IS43TR85120BL-125KBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 512Mx8bit; 1066MHz; 13.75ns; TWBGA78 Mounting: SMD Operating temperature: -40...95°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 4Gb DRAM Case: TWBGA78 Supply voltage: 1.35V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 512Mx8bit Access time: 13.75ns Clock frequency: 1066MHz |
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