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Technische Details IS43DR86400E-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Memory: 512Mb DRAM, Case: TWBGA60, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Access time: 12.5ns, Clock frequency: 400MHz, Kind of package: in-tray; tube, Anzahl je Verpackung: 242 Stücke.
Weitere Produktangebote IS43DR86400E-25DBLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA |
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| IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Kind of package: in-tray; tube Anzahl je Verpackung: 242 Stücke |
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%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43DR86400E-25DBLI") |
IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
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| IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Kind of package: in-tray; tube |
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