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Technische Details IS43DR16160B-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84, Type of integrated circuit: DRAM memory, Clock frequency: 400MHz, Mounting: SMD, Case: TWBGA84, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Memory: 256Mb DRAM, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Access time: 12.5ns, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Kind of interface: parallel, Anzahl je Verpackung: 209 Stücke.
Weitere Produktangebote IS43DR16160B-25DBLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| IS43DR16160B-25DBLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA |
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| IS43DR16160B-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Clock frequency: 400MHz Mounting: SMD Case: TWBGA84 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Memory: 256Mb DRAM Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Access time: 12.5ns Memory organisation: 4Mx16bitx4 Kind of memory: DDR2; SDRAM Kind of interface: parallel Anzahl je Verpackung: 209 Stücke |
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IS43DR16160B-25DBLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DDR2 256M 400MHZ 84BGA |
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| IS43DR16160B-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Clock frequency: 400MHz Mounting: SMD Case: TWBGA84 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Memory: 256Mb DRAM Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Access time: 12.5ns Memory organisation: 4Mx16bitx4 Kind of memory: DDR2; SDRAM Kind of interface: parallel |
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