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Technische Details IS42VM32200M-75BLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 64Mb DRAM, Case: TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory organisation: 512kx32bitx4, Access time: 7.5ns, Clock frequency: 133MHz, Anzahl je Verpackung: 240 Stücke.
Weitere Produktangebote IS42VM32200M-75BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS42VM32200M-75BLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA |
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| IS42VM32200M-75BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90 Supply voltage: 1.7...1.95V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 64Mb DRAM Case: TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Access time: 7.5ns Clock frequency: 133MHz Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42VM32200M-75BLI") |
IS42VM32200M-75BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SDRAM 64MBIT 90BGA |
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| IS42VM32200M-75BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90 Supply voltage: 1.7...1.95V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 64Mb DRAM Case: TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Access time: 7.5ns Clock frequency: 133MHz |
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