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Technische Details IS42VM32160E-75BLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, Kind of package: in-tray; tube, Operating temperature: -40...85°C, Kind of memory: SDRAM, Access time: 7.5ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Clock frequency: 133MHz, Memory capacity: 512Mb, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 240 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| IS42VM32160E-75BLI | Hersteller : ISSI |
 Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SDRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Clock frequency: 133MHz Memory capacity: 512Mb Kind of interface: parallel Memory organisation: 4Mx32bitx4 Case: TFBGA90 Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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IS42VM32160E-75BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SDRAM 512M 133MHZ 90BGA |
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| IS42VM32160E-75BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SDRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Clock frequency: 133MHz Memory capacity: 512Mb Kind of interface: parallel Memory organisation: 4Mx32bitx4 Case: TFBGA90 Mounting: SMD |
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