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IS42S16160J-7TLI

IS42S16160J-7TLI ISSI

42-45s83200j-16160j.pdf Hersteller: ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
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Technische Details IS42S16160J-7TLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16160J-7TLI - DRAM, 16M x 16 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TSOP-II-24, tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: SDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 143MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: IS42S, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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IS42S16160J-7TLI IS42S16160J-7TLI Hersteller : ISSI 42-45s83200j-16160j.pdf DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
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IS42S16160J-7TLI IS42S16160J-7TLI Hersteller : ISSI 42-45s83200j-16160j.pdf DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
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IS42S16160J-7TLI IS42S16160J-7TLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45S83200J-16160J.pdf Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS42S16160J-7TLI IS42S16160J-7TLI Hersteller : ISSI 42_45S83200J_16160J-462626.pdf DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz
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IS42S16160J-7TLI IS42S16160J-7TLI Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 2625716.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16160J-7TLI - DRAM, 16M x 16 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TSOP-II-24
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
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Produktpalette: IS42S
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Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
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IS42S16160J-7TLI IS42S16160J-7TLI Hersteller : ISSI 42-45s83200j-16160j.pdf DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
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IS42S16160J-7TLI IS42S16160J-7TLI Hersteller : ISSI 42-45s83200j-16160j.pdf DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
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IS42S16160J-7TLI Hersteller : ISSI IS42S16160J-6BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 143MHz
Access time: 7ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 3...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IS42S16160J-7TLI Hersteller : ISSI IS42S16160J-6BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 143MHz
Access time: 7ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
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Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
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