IS25LP512MG-JLLE INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP512MG-JLLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP512MG-JLLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 425 Stücke:
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Technische Details IS25LP512MG-JLLE INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LP512MG-JLLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s), tariffCode: 85423275, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WSON, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: SPI, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IS25LP512MG-JLLE nach Preis ab 8 EUR bis 10.07 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IS25LP512MG-JLLE | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tray Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (8x6) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 1ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IS25LP512MG-JLLE | Hersteller : ISSI | 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |