IRS2301SPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRS2301SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRS2301SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 350mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 200mA, Versorgungsspannung, min.: 5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 220ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRS2301SPBF nach Preis ab 0.6 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRS2301SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IRS2301SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IRS2301SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IRS2301SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
auf Bestellung 11132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRS2301SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 120mA 220ns |
auf Bestellung 8740 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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IRS2301SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 130ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA Part Status: Last Time Buy DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 1465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRS2301SPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2301SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRS2301SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.35A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRS2301SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Power: 625mW Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Turn-on time: 330ns Turn-off time: 250ns Output current: -350...200mA Operating temperature: -40...125°C Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 600V Supply voltage: 5...20V DC Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRS2301SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Power: 625mW Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Turn-on time: 330ns Turn-off time: 250ns Output current: -350...200mA Operating temperature: -40...125°C Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 600V Supply voltage: 5...20V DC Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side |
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