IRS2117STRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRS2117STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRS2117STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 105ns Verzögerung, DIP-8, tariffCode: 85423190, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 125ns, Ausgabeverzögerung: 105ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRS2117STRPBF nach Preis ab 1.26 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRS2117STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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IRS2117STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers Sngl Hi Sd Drvr NonInvrt Inpt |
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IRS2117STRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2117STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 105ns Verzögerung, DIP-8 tariffCode: 85423190 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRS2117STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRS2117STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.6A 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRS2117STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |