IRS2008SPBF

IRS2008SPBF Infineon Technologies


Infineon-IRS2008%28S%2CM%29-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae5475e943bd3&redirId=115112 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 30ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Last Time Buy
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details IRS2008SPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRS2008SPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 10V, Quellstrom: 290mA, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRS2008SPBF IRS2008SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irs2008s-m-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N Tube
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IRS2008SPBF IRS2008SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irs2008s-m-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N Tube
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IRS2008SPBF IRS2008SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRS2008S_M_DataSheet_v01_00_EN-3166623.pdf Gate Drivers 200V half-brdg,0.6A VCC & VBS UVLO & SD
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2500+ 0.87 EUR
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IRS2008SPBF IRS2008SPBF Hersteller : INFINEON 2718720.pdf Description: INFINEON - IRS2008SPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 290mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRS2008SPBF
Produktcode: 179946
Infineon-IRS2008%28S%2CM%29-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae5475e943bd3&redirId=115112 IC > IC Transistoren-Treiber
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IRS2008SPBF IRS2008SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irs2008s-m-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC N Tube
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IRS2008SPBF IRS2008SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRS2008S.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 625mW
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke
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IRS2008SPBF IRS2008SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRS2008%28S%2CM%29-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae5475e943bd3&redirId=115112 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 30ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Last Time Buy
DigiKey Programmable: Not Verified
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IRS2008SPBF IRS2008SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRS2008S.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 625mW
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 180ns
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