![IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF](/img/to-220.jpg)
IRLZ34NPBF
![irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720](/images/adobe-acrobat.png)
Produktcode: 40555
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.035
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar 181 Stück:
25 Stück - stock Köln
156 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.54 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
Produktrezensionen
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Technische Details IRLZ34NPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 27A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.035ohm
- Max Voltage Vgs:2V
- Power Dissipation:56W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:27A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vgs th:2V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:56W
- Pulse Current Idm:110A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRLZ34NPBF nach Preis ab 0.49 EUR bis 5.11 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 8424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 35173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Mit diesem Produkt kaufen
IRF9Z34NPBF Produktcode: 31477 |
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
auf Bestellung 620 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.44 EUR |
10+ | 0.41 EUR |
NE555P IC Timer Produktcode: 26138 |
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Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 1963 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.24 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
IRF5305PBF Produktcode: 40618 |
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
verfügbar: 286 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.47 EUR |
10+ | 0.45 EUR |
LM358N Produktcode: 181180 |
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Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 1052 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-1R) Produktcode: 11173 |
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 1 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 1 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
verfügbar: 119 Stück
erwartet:
1000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.25 EUR |
10+ | 0.14 EUR |
100+ | 0.12 EUR |