![IRLZ24PBF IRLZ24PBF](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
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Technische Details IRLZ24PBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLZ24PBF nach Preis ab 1.01 EUR bis 1.9 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLZ24PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
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IRLZ24PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
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IRLZ24PBF | Hersteller : Vishay |
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IRLZ24PBF | Hersteller : Vishay |
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IRLZ24PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLZ24PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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