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IRLU8256PBF
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Produktcode: 33746
Hersteller: IRGehäuse: I-Pak
Uds,V: 25
Idd,A: 81
Rds(on), Ohm: 0.0057
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.1470
JHGF: THT
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Technische Details IRLU8256PBF IR
- MOSFET,N-CH 25V 81A IPAK
- Transistor Polarity:N
- Max Current Id:81A
- Max Voltage Vds:25V
- On State Resistance:5.7mohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:63W
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Transistor Case Style:I-PAK
- No. of Pins:3
- Case Style:I-PAK
- Cont Current Id:25A
- Max Voltage Vgs th:2.35V
- Power Dissipation Pd:63W
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Power MOSFET
- Typ Voltage Vds:25V
- Typ Voltage Vgs th:1.8V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRLU8256PBF
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRLU8256PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLU8256PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V |
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IRLU8256PBF | Hersteller : Infineon / IR |
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