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IRLU8113PBF

IRLU8113PBF

IRLR8113PbF%2C%20IRLU8113PbF.pdf
Produktcode: 31851
Hersteller: IR
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 94
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 2920/22
Bem.: 22 ns
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLU8113PBF IRLU8113PBF Hersteller : Infineon Technologies irlr8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 94A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRLU8113PBF IRLU8113PBF Hersteller : Infineon Technologies IRLR8113PbF%2C%20IRLU8113PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
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