IRLU3110ZPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 21024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 83+ | 1.82 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRLU3110ZPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLU3110ZPBF nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU3110ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 21025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl |
auf Bestellung 4645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 21225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLU3110ZPBF - IRLU3110ZPBF - TRENCH 100V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF Produktcode: 32113 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 100 Idd,A: 63 Rds(on), Ohm: 0.014 Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |