IRLU120NPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 3575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 267+ | 0.57 EUR |
| 312+ | 0.47 EUR |
| 342+ | 0.42 EUR |
| 525+ | 0.39 EUR |
| 1050+ | 0.36 EUR |
| 2550+ | 0.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRLU120NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRLU120NPBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv |
auf Bestellung 25920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLU120NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLU120NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLU120NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 8085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IRLU120NPBF Produktcode: 48939 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-251 Uds,V: 100 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 JHGF: THT ZCODE: 8542 31 90 00 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
|
IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |